Vishay 推出最大結溫高達 +175°C 的業界首款第 5 代高性能 45V 肖特基二極管

基于亞微米溝槽技術的新器件具有 60A 時低于 0.50V 至 30A 時低于 0.54V 的超低典型正向壓降，以及 +125°C 時 2mA 至 5mA 的超低反向漏電流

賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 7 月 11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出最大結溫高達 +175°C 的業界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與 60CPT045 器件基于亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。

日前推出的這兩款肖特基二極管在 +125°C 時具有超低的最大正向壓降，對于 2 x 30A 60CPT045，30A 時典型正向壓降低于 0.50V，對于 2 x 15A 30CTT045，15A 時典型正向壓降低于 0.50V。這兩款器件在 +125°C 時均具有超低的反向漏電流，分別為 5mA 及 2mA，并且參數分布非常緊湊。這兩款器件均提供了優化的 VF 與 IR 權衡，可實現更高的系統效率。

30CTT045 與 60CPT045 均為交流到直流次級整流、反激式、降壓與升壓轉換器、半橋、反向電池保護、續流、D 級放大器，以及直流到直流模塊應用進行了優化。應用所涉及的典型終端產品包括高功率密度 SMPS；臺式電腦適配器；服務器、汽車驅動器與控制裝置；消費類電子產品，例如 PDP、LCD 及高效的音頻系統；移動電子產品，例如筆記本電腦、手機及便攜式媒體播放器。

對于設計人員，這些新型器件采用符合 RoHS 的小型封裝，可改善成本功耗比，并且具有 RBSOA，可實現緊湊的低成本設計。30CTT045 采用 TO-220 封裝，而 60CPT045 采用 TO-247 封裝。

穩定的高擊穿電壓（一般高于 57V）可適應電壓峰值并優化功率密度，在這些二極管中，功率密度增加了 25%。這兩款器件堅固耐用，其抗反向雪崩能力提高了 40%，雪崩時部件可得到完全屏蔽，且開關損耗極小。

目前，新型 30CTT045 與 60CPT045 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 6～8 周。